爱安德基本介绍SOI硅片
爱安德基本介绍SOI硅片
高质量的SOI硅片（Silicon On Insulator——绝缘体上硅），适用于客户包括MEMS，功率器件，压力传感器和CMOS集成电路制造的广泛应用。 SOI晶圆为高速和低功耗器件提供了良好的解决方案，被广泛认为是高压和RF器件的新解决方案。 SOI晶圆是一种类似三明治(Sandwitch)的夹层式结构，一共有三层；包括顶层（器件层），中间的埋氧层（为绝缘SiO2层）和底层的衬底（体硅）。 SOI晶圆采用SIMOX法和晶圆键合技术生产而成，从而可以实现更薄更精确的器件层，均匀的厚度均匀和缺陷密度低等目标。
本公司可提供直径为2″、3″、4″、5″、6″和8″的SOI晶圆，可选择的宽阔电阻率范围0.001~100,000 ohm-cm，从100nm(1000Å)~300um的宽范围器件层厚度可满足众多客户独特的SOI要求。
本公司强化广泛合作以满足客户即时所求的需求，与国际多家生产商与分销商建立了合作关系，搭建成全球zui大的SOI晶圆现货供应网络，此外为满足科研及企业客户早期研发的需求，可以承接10pcs起的定制订单。
基于客户多元化的强劲需求，我们与原厂通力合作，可以为客户提供可定制的SOI晶圆：
》超厚SOI晶圆 》腔体SOI Cavity SOI
》超薄SOI晶圆 》双面SOI Double SOI(DSOI)
》超均匀度SOI晶圆 》多层SOI Multiple SOI
》超平SOI晶圆 》 键合SOI Bonded SOI