爱安德介绍有关 MMIC 的其他信息
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1. 微波应用的MMIC示例
用于微波应用的 MMIC 的典型示例包括 GaAs 衬底上的 MMIC，以及 SOI-CMOS 和 SiGe 衬底上的 MMIC。用于智能手机的蜂窝设备的高频功率放大器和低噪声放大器、用于WiFi通信的高频功率放大器以及用于切换天线周围的发送和接收路径的开关通常是GaAs基板上的MMIC或SOI-CMOS MMIC。存在
其原因是，为了将几GHz频段的微波无线电波传输到基站，需要放大并输出几瓦的功率，因此形成了具有高放大系数和高效率的晶体管。这是可能的，并且GaAs或SOI衬底上的MMIC是合适的，因为高频匹配电路中使用的电容器和螺旋电感器可以确保相当高的Q值。
此外，HBT（异质结双极晶体管）也经常被用作该领域的晶体管。这是因为，采用MOCVD成膜技术，可以相对容易地控制偏差，并且与HEMT器件不同，不需要负电源偏压。
2. 毫米波应用的MMIC示例
如果没有 MMIC，则很难进行配置的应用示例包括 5G，尤其是毫米波通信应用，以及防碰撞车载雷达的毫米波应用。在这种情况下，有源元件通常是具有优异频率特性的 GaAs HEMT 器件、InP 基 HBT、硅基微型 SOI-CMOS 或 SiGe HBT。
截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）通常被用作衡量器件特性的性能指标，但在下一代通信标准5G和6G之外的亚太赫兹区域，该频率是可以放大的半导体器件非常有限。例如，对于处理 D 频段 140GHz 的半导体器件，fT 必须至少是 300GHz 的两倍。
无源元件在毫米波频段也具有非常大的传输损耗，因此有必要通过将它们集成到 MMIC 中而不是使用分立配置来尽可能抑制每个电路块之间的传输损耗。在毫米波频段应用中，一种称为波束成形的天线阵列技术也与MMIC结合使用来发电，针对Beyond 5G和6G通信的研发正在加紧进行。